专利推介

  • XFEL光束诊断
  • 材料制备
  • 超导探测器研发
  • 原位散射和成像
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  • 申请时间
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  • 摘要
  • 半导体探测器一种用于大面阵芯片对芯片倒装焊焊点导通性测试电路2022-12-30CN202211722464.4本发明涉及一种用于大面阵芯片对芯片倒装焊焊点导通性测试电路，包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片的电路层设计均为像素结构，所述第一芯片上的每个像素对应一个焊点，每相邻两个像素对应的焊点相互导通；所述第二芯片上的每个像素对应一个焊点，每相邻两个像素对应的焊点相互导通；所述第一芯片上的每个像素对应的焊点与所述第二芯片上每个像素对应的焊点导通，形成完整电路。本发明能够进行链路级电导通性测试。[详情]
  • 半导体探测器一种用于半导体像素阵列探测器制备的精密定位装置2024-06-03CN202410706453.X本发明涉及PCB定位领域，特别是一种PCB精准定位和加压装置及其使用方法。本发明的PCB精准定位装置，用于在点胶机工作平台上固定并定位PCB，包括底板、支撑件、长边固定件、短边固定件和加压件。底板和点胶机工作平台可拆卸连接，支撑件、长边固定件和短边固定件均设于底板上，PCB设于支撑件上，加压件设于PCB上。最终，本申请能够使PCB精准地被放置于点胶后的支撑件上，并且本申请能够在实现对PCB施以均匀压力以确保自然状态下弯曲的PCB能够平整的粘贴于支撑件上的同时，也强化了PCB与支撑件之间胶水的均匀性和覆盖率以确保PCB散热的均匀性。[详情]
  • 半导体探测器一种晶圆级半导体器件贴片设备2024-07-29CN202411024640.6本发明属于电子贴装技术领域，提供的一种晶圆级半导体器件贴片装置，适用于晶圆级规模、大尺寸芯片的高精度贴片，其操作流程包括开机、上料、吸料、取料、移入PCB板、粗对准、细对准、贴片和释放等步骤。通过分光棱镜和梯度显微镜联合使用，实现了大尺寸芯片模组与印刷线路板的高精度对准和贴装，确保芯片焊盘与印刷线路板焊盘之间的长程(≥10cm)、多焊盘(≥1500个)高精度对准，整体贴装精度≤10μm。同时，可根据器件贴片需要，施加一定的压力值。该设备不仅提高了操作的可重复性和可靠性，还解决了现有自动化贴片设备无法满足大尺寸芯片模组贴片需求、贴片精度低等问题。[详情]
  • 半导体探测器一种半导体器件、制备方法及其应用2024-05-08CN202410562689.0本发明提供一种半导体器件、制备方法及其应用通过在X射线灵敏区外设置多层环状结构，包括P型电荷收集环、多个P型保护环及多个N型保护环，有效地屏蔽了X射线灵敏区以外漏电流及外部电场的影响，从而显著提高了信号质量和半导体器件的稳定性。此外，这种结构设计还有效抑制了等离子体效应，进一步提升了半导体器件的灵敏度和信噪比。这些性能的提升对于半导体器件在高工作电压环境下的稳定运行至关重要。本发明的半导体器件，在辐照环境下能够达到至少600V的击穿电压和至少300V的工作电压，充分满足了XFEL等特定应用的需求。[详情]
  • 超导模组低温元件研制一种齿状冷缩量吸收结构2023-02-16CN202320229643.8本实用新型提供一种齿状冷缩量吸收结构、及高次模吸收器；包括内环、中环、以及外环，所述内环外圆与中环内圆连接，所述中环外圆与外环内圆连接；所述中环外圆和中环内圆之间设置有齿状结构，所述齿状结构用于补偿外环、中环的冷缩形变量；所述外环中开设有流体流道，所述流体流道中通入冷却流体，所述外环中通入冷却流体时，所述外环、中环、内环均冷缩形变。本实用新型设置有齿状结构，利用齿状结构对应力形变的补偿原理，陶瓷制成的内环在低温下冷缩率小形变小，无氧铜制成的中环、外环在低温下冷缩率大形变大，齿状结构可以起到增大形变补偿量，减小应力的作用，大大提高了高次模吸收器的稳定性和寿命。[详情]
  • 超导模组低温元件研制一种齿状冷缩量吸收结构2023-02-16CN202310122629.2本发明提供一种齿状冷缩量吸收结构、制造方法、及高次模吸收器；包括内环、中环、以及外环，所述内环外圆与中环内圆连接，所述中环外圆与外环内圆连接；所述中环外圆和中环内圆之间设置有齿状结构，所述齿状结构用于补偿外环、中环的冷缩形变量；所述外环中开设有流体流道，所述流体流道中通入冷却流体，所述外环中通入冷却流体时，所述外环、中环、内环均冷缩形变。本发明设置有齿状结构，利用齿状结构对应力形变的补偿原理，陶瓷制成的内环在低温下冷缩率小形变小，无氧铜制成的中环、外环在低温下冷缩率大形变大，齿状结构可以起到增大形变补偿量，减小应力的作用，大大提高了高次模吸收器的稳定性和寿命。[详情]
  • 超导腔表面处理一种超导腔外表面自动缓冲化学抛光装置2023-04-19CN202310421102.X本发明涉及超导腔表面处理技术领域，尤其涉及一种外表面缓冲化学抛光装置，包括：内部中空的抛光清洗槽，用于容置待抛光件，抛光清洗槽相对的两侧壁上分别开设有注酸口和溢流口，抛光清洗槽的底部开设有排液口；注水件，设于抛光清洗槽的顶部，注水件用于向抛光清洗槽内注入纯水；内部中空的循环箱，用于容装酸液，循环箱的顶部开设有加酸口和第一回酸口，加酸口用于向循环箱内注入酸液，第一回酸口与溢流口相连接，循环箱的底部开设有出酸口，出酸口与注酸口通过依次串联的第一阀、泵和第二阀相连接；冷却件，设于循环箱的内部，冷却件用于对循环箱内的酸液进行冷却。能够实现超导腔及各种超导腔零部件、配件工件的外表面抛光。[详情]
  • 超薄液膜喷嘴种用于自由电子激光硬X射线谱学实验超薄液膜喷嘴制备方法2024-10-15CN202411437718.7本发明提供一种用于自由电子激光谱学实验的薄膜喷嘴和硬X射线谱学的液体样品环境系统，涉及自由电子激光实验站样品环境技术领域。本发明第一方面所提供的薄膜喷嘴包括第一级喷嘴和嵌套设于所述第一级喷嘴中且与之可拆卸连接的第二级喷嘴；所述第二级喷嘴中依次设有沿液流的流动方向逐渐收拢但不收口的变径通道和喷射通道，所述喷射通道的出液口处的横截面积为0.05mm2～0.005mm2。通过上述设置，所述薄膜喷嘴能够产生液流厚度小于20μm且对时间分辨率的影响小于66fs的扁平超薄液膜，能够满足硬X射线谱学实验对液体样品厚度的严格要求，极大提升时间分辨的硬X射线谱学实验精度。[详情]
  • 超导探测器研发一种超导转变边探测器及其制备方法2021-05-21CN202110560045.4本发明涉及超导电子学技术领域，特别是涉及一种超导转变边探测器及其制备方法。本发明所提供的制备方法，先后在衬底上制备截止层、薄膜层、超导材料层、常态金属条和//或常态金属点、热沉件、吸收体等部件。本发明中，为缓解超导转变边沿出现扭折线的难题，在TES探测器超导薄膜上方生长常态金属条并适当增加一些常态金属点，同时为了降低制备探测器时的复杂度和解决超导体失超的问题，采用将吸收体与超导材料层(超导薄膜)直接接触的方式，并在制备超导薄膜时增加钼薄膜厚度，通过超导材料层的两个子层和吸收体三层薄膜来调控探测器的超导转变温度。[详情]
  • 材料制备聚焦扫描式脉冲激光薄膜沉积装置以及沉积方法2021-01-19CN202110068553.0本发明涉及一种聚焦扫描式脉冲激光薄膜沉积装置以及沉积方法，利用汇聚透镜将准直激光汇聚到0.01mm量级，焦点落在靶材上，达到106W//cm2以上的平均功率密度和109W//cm2以上的峰值功率密度，使固态靶材表面原子气化从而实现样品处薄膜沉积。该设备通过X、Y方向的振镜，使光斑在靶材表面进行面扫描；再通过Z方向的实时调节以使靶面的光斑始终处于焦点位置。靶材位置也可放置多种材料，通过激光开合、输出功率与两组振镜及Z方向调节机构的联动，以实现多组分薄膜的沉积。激光器不使用有毒有害气体、沉积过程在时间上均匀性好，可以在不换靶的情况下自由调节所沉积样品的化学组分，提高了薄膜沉积的可控性与便捷性。[详情]