- 超导一种超薄、超高Tc、超低应力的氮化铌薄膜制备方法2024-06-13CN202410761985.3本发明涉及微纳加工技术领域,特别是一种超薄、超高Tc、应力可控的氮化铌薄膜的制备方法。所述制备方法至少包括:在衬底上采用直流磁控溅射的方式外延生长氮化铌薄膜,其中,所述氮化铌薄膜的制备条件如下:氮气和氩气质量流量比为0%~60%、生长温度为室温~800℃、生长气压为1~10mTorr、生长功率为50~500W、生长时间为10~4300s。本发明提供的制备方法可同时获得超薄、超导转变温度Tc超高、超低应力、性能稳定的NbN薄膜,解决以往技术仅有单个指标满足条件的难题,以适用于高难度器件研制。[详情]
- 微纳制造工艺方法一种高精密显影方法2023-06-30CN202310803231.5本发明提供一种光刻胶精密显影系统、显影方法及存储介质,光刻胶精密显影系统包括固定架和承载台,狭缝涂头以及狭缝涂头的X‑Y向运动控制装置,超声喷头以及超声喷头的Y向运动控制装置,液体控制装置;本发明光刻胶精密显影系统的显影方法使用狭缝涂布+超声矩阵化方式的来进行精密显影,可以精度控制显影液厚度均匀性达到3%以内、量化显影图案与显影液关系,实现了节约显影液用量、增加了显影均匀性、减少缺陷几率、提高图案精细化。[详情]
- 微纳制造工艺方法一种发光二极管及发光装置2022-11-24CN202211483787.2本申请提供一种发光二极管及发光装置,发光二极管的电极结构形成在外延结构的第一表面侧,该第一表面为出光面。电极结构包括位于外延结构的第一表面上方的第一部分,以及沿所述第三方向自第一部分延伸至外延结构的第二部分,其中,在第三方向上,第二部分高于第一表面,使得第一部分与第一表面之间具有一空隙,即,电极结构中仅第二部分与外延结构接触,第一部分并不覆盖外延结构。第一部分在第一表面上的第一投影面积大于第二部分在第一表面上的第二投影面积,例如电极结构可以形成为在第三方向上的投影呈“T”型的结构。这样就减少了电极的覆盖面积,减少了对外延结构发光的光的阻挡及吸收,能够增加发光二极管的出光效率。[详情]
- 微纳制造工艺方法一种单片晶圆显影装置2022-04-27CN202221005563.6本实用新型涉及一种单片晶圆显影装置,包括显影框架和若干显影容器,所述显影框架用于装载晶圆,所述显影容器用于盛装显影液和显影停止液;所述显影框架包括晶圆支撑架,所述晶圆支撑架上方设有把手,所述把手的两端与所述晶圆支撑架的相对两侧可拆卸连接,所述晶圆支撑架上边缘设有可移动卡扣。本实用新型提供的单片晶圆显影装置结构简单、制造成本低,简单易操作,克服了微加工过程中的单片显影工艺手动显影过程中容易刮伤晶圆表面且无法准确控制显影时间的缺陷。[详情]
- 微纳制造工艺方法一种基于小基片衬底的器件制备时所需的双面对准的方法2023-11-08CN202311481175.4本发明一种小基片衬底的双面对准方法,涉及光刻领域。对准方法包括如下步骤,1)在晶圆衬底上绘制多个坐标系对准标记并记录于集合S,2)继续绘制多个正面切割标记并记录于集合T,3)在小基片衬底上绘制多个小基片正面对准标记并记录于集合P,4)翻转晶圆衬底,重新读取坐标系对准标记并记录于集合X,5)光刻机自动调整,消除集合X中的偏移,6)在光刻机中输入集合T,绘制多个背面切割标记,7)在光刻机中输入集合P,绘制多个小基片背面对准标记。经过上述步骤之后,在小基片衬底正面和背面的相同位置,绘制了小基片正面对准标记和小基片背面标记,实现了在小基片衬底正面和背面的相同位置绘制图形。[详情]
- 微纳制造工艺方法一种超高几何填充率的大面积钙钛矿电池模组制备方法2024-11-14CN202411620666.7本发明提供一种超高几何填充率的大面积钙钛矿电池模组及其制备方法和用途,所述超高几何填充率的大面积钙钛矿电池模组的制备方法包括如下步骤:1)P1工序:在包括电子传输层的基片上涂布光刻胶,按照所需图案进行曝光、显影、刻蚀;2)P2工序:在电子传输层上表面由远离电子传输层的方向依次涂布钙钛矿层、空穴传输层后再沉积注入层,在注入层表面进行套刻曝光开槽并刻蚀;3)P3工序:再由远离电子传输层的方向依次沉积金属电极和保护层,在保护层表面进行套刻曝光开槽并刻蚀。本发明所制备的大面积钙钛矿电池模组有效面积的几何填充率(GFF)达到99.7%及以上,良品率在90%以上。[详情]
- 微纳制造工艺方法一种LED芯片通过侧壁刻蚀提高亮度的制作方法2024-11-27CN202411715773.8本发明涉及半导体器件及装置技术领域,特别是涉及一种LED芯片及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:1)光刻:在外延层上光刻出所需图形;所述N‑GaN层的顶部、多量子肼层和P‑GaN层形成LED芯片的N区,所述N‑GaN层的底部和部分衬底上设有切割道;2)深刻蚀:利用ICP技术进行深刻蚀,以至少暴露出N‑GaN层;3)角度刻蚀:利用IBE进行角度刻蚀,以使所述N区侧壁和//或切割道顶缘的侧壁呈倒梯形;4)制作透明导电层、沉积保护层、P电极和N电极,即得到所述LED芯片。本发明工艺提高了LED芯片的出光效率,从而提高了外量子效率;本发明工艺稳定,有利于良率提升;可省去切割工艺步骤,有利于良率的提升,缩短了后道加工流程,控制成本。[详情]
- 微纳制造工艺方法一种精密显影涂布头2023-08-04CN202322101459.8本实用新型提供一种精密显影涂布头,包括:挤压头上唇、挤压头下唇以及设于所述挤压头上唇和挤压头下唇之间的厚度可调节的垫片;所述挤压头下唇中设置有依次连通的、粗糙度逐级减小的凹槽,所述凹槽与挤压头上唇之间形成多级稳流通道,所述挤压头下唇包括唇口,所述唇口与挤压头上唇之间形成出料口,所述挤压头下唇上设有供料口,所述多级稳流通道连通出料口和供料口;所述挤压头上唇设有若干吹洗通道;本实用新型的精密显影涂布头可以精度控制低粘度显影液流量、涂布厚度,能够实现精密显影、增加显影均匀性、减少缺陷几率、提高图案精细化。[详情]
