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  • 后摩尔器件与集成系统1.55微米波段雪崩光电探测器及其制备方法2021-12-31CN202111672513.3本发明涉及一种1.55微米波段雪崩光电探测器，从下至上依次包括衬底层、阴极接触层、N型电荷层、InAs//AlAs数字合金倍增层、P型电荷层、能带过渡层、In0.53Ga0.47As吸收层、阻挡电子向阳极方向扩散的电子阻挡层及阳极接触层；采用InAs//AlAs数字合金作为雪崩光电探测器的倍增层可将过剩噪声系数相比应用较为广泛的In0.52Al0.48As有明显下降，离化系数比从0.2下降至0.15左右；In0.53Ga0.47As吸收层采用了部分带有P型掺杂的部分耗尽结构，可以通过减少光生空穴的漂移距离而减少空穴的渡越时间，同时通过控制P型掺杂区域的厚度可避免电子在P型掺杂区域的扩散时间过长，从而实现器件响应速度的提升，同时相比于直接减少吸收区厚度的方法，可较好地避免响应度的下降。[详情]
  • 后摩尔器件与集成系统一种基于渐变带隙吸收层结构的单探测器微型光谱仪2023-03-31CN202310344962.8本发明涉及一种具有渐变带隙吸收层结构的单像素探测器微型光谱仪，从下之上依次包括衬底层、阴极接触层、渐变带隙吸收层、阻挡层、吸收层和阳极接触层，阴极、阳极两个金属电极分别生成在阴极接触层和阳极接触层上。采用渐变带隙的半导体材料作为吸收层，能够随偏压增加逐步拓展光谱吸收范围，从而对入射光谱信息进行特异性编码，配合重建算法高效快速重建出入射光谱；采用体材料作为探测器制备的材料体系，相关工艺成熟且较二维材料等新材料而言其制备更简便，成本更低；其实体部分仅有一个单像素光电探测器，无需冗繁的分光元件与光路即可工作，可以实现极小的尺寸，尺寸可随光刻板任意变化，满足不同需求下的应用场景。[详情]
  • 后摩尔器件与集成系统一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法2022-03-28CN202210309182.5本发明提供一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法。本发明采用AlAsSb和InAlAs或者InP做电子阻挡层和过渡层可以将光电探测器的测试波长延伸至可见光和紫外波段，采用InGaAs体材料和InGaAs//GaAsSb二类超晶格材料作为半导体光电探测器的吸收层，可将光电探测器的测试波长延伸至近红外和延长短波红外波段。当形成的电子基态能级与空穴基态能级之差小于延长短波红外波长的光子对应的能量时，就能吸收延长短波红外波长的光，从而实现对延长短波红外波段的覆盖。该光电探测器采用晶格匹配于InP衬底的InGaAs//GaAsSb二类超晶格作为吸收区，相对于高铟成分晶格失配InGaAs延长短波红外探测器，具有更低暗电流，单片集成的优势。[详情]
  • 后摩尔器件与集成系统基于压入与重标记可提前终止的最大流最小割求解算法2022-08-11US17798898提供了一种用于早期终止push‑Relebel算法的max-flow//min-cut解算法。 所述max-flow//min-cut求解算法用于不需要精确最大流量的应用，包括：通过分离条件和稳定条件定义Push-Relebel算法的提前终止条件； 在所述Push-Relebel算法的运行过程中，若任意时刻所述集合T中不存在源节点s，s∈S，则确定满足所述分离条件； 若所述集合T中不存在活动节点，则确定满足所述稳定条件； 以及如果所述分离条件和所述稳定性条件都满足，则终止所述推送-重新贝尔算法。 提早的终止技术是为了大大减少冗余计算，并确保算法在所有情况下都能正确终止。[详情]
  • 后摩尔器件与集成系统Method for Disseminating Scaling Information and Application...2022-10-26US18049932示例实施例涉及用于传播缩放信息的方法及其在定点快速傅立叶变换(FFT)的超大规模集成(VLSI)实现中的应用。 一个实施方案包括一种用于在系统中传播缩放信息的方法。 该系统包括线性可分解变换过程和线性可分解变换过程的逆过程。 线性可分解变换过程的逆过程在时间或空间上被定义为逆线性可分解变换过程。 线性可分解变换过程与逆线性可分解变换过程分离。 可以首先进行线性可分解变换过程或逆线性可分解变换过程，并将其定义为线性可分解变换I，随后进行其他剩余过程，并将其定义为线性可分解变换II。 所述缩放信息传播方法用于位宽优化且节能的硬件实现。[详情]
  • 后摩尔器件与集成系统基于图像块级的高速高能效的双目视觉硬件加速器和方法2022-06-06CN202210628902.4本发明提供了一种基于图像块级的高速高能效的双目视觉硬件加速器和方法。本发明提供了一种基于块PatchMatch的、高性能和节能的双目测距处理器设计方法。开发了基于FPGA的概念验证双目测距处理器，在128个视差级别下实现了1920×1080@165.7FPS的峰值性能，功耗为3.35W。所提出设计的能源和资源效率优于最先进的基于FPGA的立体匹配处理器。当视差级别增加到256时，所提议设计的硬件资源增量远低于现有的基于WTA的设计。此外，与现有的仅输出视差信息的专用立体匹配处理器不同，本发明所提出的设计还能够导出平面倾斜，此信息可能对3D重建等后续任务有益。本发明可以在不影响检测精度的基础上，减少检测系统的能耗和面积。[详情]
  • 后摩尔器件与集成系统一种基于半导体激光器的光学非线性神经元2023-04-13CN202310397322.3本发明公开了一种全光非线性神经元，其特征在于，包括隔离器、激光器和滤波器。本发明仅包含半导体激光器、隔离器和滤波器三种主要器件，不需要光电和光电转换的过程，因此具有装置简单、能耗低的优势。由于神经元中的激光器能够提供能量，因此适用于具有多层深度的复杂神经网络，不会出现层数增加激光功率下降的问题，所以具有可拓展性好的优势。本发明提供的神经元不仅能够处理脉冲信号也能够处理连续波信号，因此同时适用于脉冲型和非脉冲型的神经网络。另外，本发明中的神经元工作区间大，因此具有灵活性和可靠性高的优势。[详情]
  • 后摩尔器件与集成系统一种基于半导体激光器的深度储备池光计算方法和系统2022-03-22CN202210280738.2本发明的一个技术方案是提供一种基于半导体激光器的深度储备池光计算方法，本发明的另一个技术方案是提供了一种深度储备池光计算系统。本发明中每一层储备池主要由半导体激光器和光学延迟线构成，并由此产生大量的虚拟神经元。上一层储备池中激光器的输出通过光注入锁定技术单向的注入到下一层储备池的激光器中，从而实现储备池计算的深度架构。本发明提出的储备池光计算系统深度不受限制，因此具有良好的可拓展性。储备池层与层之间的连接为全光方式连接，因此具有装置简单、成本低、能耗小的优势。[详情]
  • 后摩尔器件与集成系统基于特种光纤的光子芯片绝热耦合器2023-04-28CN202310480578.0本发明提供一种适于晶圆级原位检测的光耦合器，包括片上波导和片外特种光纤，所述片上波导和片外特种光纤之间绝热耦合，本发明还提供一种适于晶圆级原位检测的光耦合器在集成光子学领域中的应用；本发明的适于晶圆级原位检测的光耦合器经过优化在极广的波长区间实现99％以上的耦合效率，效率高、带宽大、偏振不敏感、对准容差大、测试简单，可以进行晶圆级原位测量。[详情]
  • 后摩尔器件与集成系统无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法2022-08-03CN202210930415.3本发明涉及一种无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法，包括从上至下的反铁磁层、绝缘层和重金属层，反铁磁层和重金属层的两组写入电流在空间上相互垂直的，控制反铁磁层和重金属层的两组写入电流大小和方向，可控制反铁磁层中的Néel矢量向上或向下的状态，所述Néel矢量状态代表存储的不同信息。利用直流电流调控一种反铁磁装置的Néel矢量，实现数据写入，提高存储单元阵列排列密度，节约能耗。该垂直磁化反铁磁磁随机存储器存储单元，具有更高的磁矩翻转速度，并具有更好的存储稳定性，同时具有结构简单、速度快、抗杂散场扰动、非易失性的优点，本存储单元尤其在读写速度上更快。[详情]