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  • 分析方法一种利用RHEED原位实时定量探测薄膜粗糙度的方法2021-01-08CN202110022387.0本发明公开了一种通过反射式高能电子衍射仪(以下简称RHEED)原位实时探测薄膜粗糙度的方法。RHEED是在外延生长薄膜时广泛采用的仪器，通过与荧光屏和电荷耦合器件(以下简称CCD)的结合，可以原位实时观测到外延薄膜的衍射图案。本发明通过采集外延薄膜衍射图案的特征参数，将衍射图案特征参数和薄膜表面平整度建立起明确的函数关系，从而使得在生长过程中便能依据外延薄膜的衍射图案得到其精确的表面粗糙度，这大大拓展了RHEED在薄膜生长中的应用。[详情]
  • 半导体材料一维MoS2纳米卷存储器2023-06-06CN202310662087.8本申请涉及材料领域，特别涉及一种二硫化钼纳米卷及其制备方法和应用。本申请提供一种二硫化钼纳米卷的制备方法，包括以下步骤：1)提供硅片衬底，于硅片衬底表面形成MoS2层；2)使MoS2层浸泡在第一溶液中，后吹干，得到中间产物；3)在中间产物上滴加第二溶液，使中间产物发生卷曲，并迅速吹干终止卷曲，得到二硫化钼纳米卷。本申请提供的方法为自上而下的诱导卷曲法，所需的单层MoS2通过CVD法生长，工艺较为成熟，可以进行大量制备。本发明提供的方法可以通过控制将第二溶液吹干的时机来调节MoS2纳米卷卷曲的程度，相较于现有技术，本申请的可控性更高。[详情]
  • 半导体材料一种在蓝宝石衬底上选区定点生长大畤区单层二硫化钼的金属有机化...2023-06-28CN202310776421.2本发明涉及层状二维材料制备技术领域，主要是一种硫化钼二维材料的制备方法。本发明通过石英管喷嘴精确引导金属有机物蒸气到蓝宝石衬底指定区域生长大尺寸单层硫化钼，提供了一种稳定高效的单层硫化钼二维材料生长方法，采用金属有机化学气相沉积技术、反应条件可控且能一步实现单层硫化钼的大尺寸单晶，相比于已有的金属有机化学气相沉积制备技术，畴区尺寸提升约2个数量级，更加有利于器件的加工，在芯片集成、光学领域具有良好的应用前景。[详情]
  • 半导体材料利用氦离子退火植入法加工制造高深宽比硅纳米沟道2023-04-21CN202310435228.2本发明提供一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法。植入氧原子的方法包括：将表面镀有氧化物层的单晶硅进行氦离子辐照并直写图形，氧化物层中的氧原子受氦离子动能转移被牵引植入单晶硅表层形成氧化硅。硅纳米沟道的制备方法步骤包括：1)采用在单晶硅表层植入氧原子的方法获得氦离子束直写图形后的氧化硅图形；2)对氧化硅图形进行化学湿法刻蚀。本发明英文名称为siliconhighaspectnano‑groovesviaHe+annealingimplantation，简称SHANG‑HAI工艺。检测方法：在化学湿法刻蚀之前，采用镓离子束刻蚀出氧化硅图形的垂直截面。本发明能够在单晶硅表面加工制备出线宽只有10nm或更小，深宽比达10或以上的硅纳米沟道。[详情]
  • 半导体材料一种铑掺杂钛酸钡半导体材料的制备方法及其在光电化学中的应用2023-09-18CN202311204934.2本发明公开了一种铑掺杂钛酸钡半导体材料的制备方法及其在光电化学中的应用。本发明的铑掺杂钛酸钡为掺杂型催化剂，其化学式为BaTi1‑xRhxO3，其中，0.001≤x≤0.1。本发明的制备方法为：将含钡化合物，二氧化钛粉末与含铑化合物混合均匀，然后在高温下煅烧，待冷却到室温后，将得到的催化剂粉末负载于导电基底上构成薄膜光电极，即可作为半导体电极用于光电化学反应。本发明的制备方法具有工艺简单、生产设备要求低、成本低廉、可拓展性强的特点，并且得到的产物具有物理及化学性质稳定以及催化性能优异等优点，具有良好的实际应用前景；本发明的铑掺杂钛酸钡可应用于光(电)催化分解水制氢和污染物降解等催化领域。[详情]
  • 半导体材料二维半导体-核壳量子点电荷存储器2024-04-10CN202410428551.1本发明提供一种电荷存储器件及其制备方法，电荷存储器件从下到上依次包括衬底层、核壳量子点层、传输沟道层和电极层；衬底层包括衬底和介电层，介电层与核壳量子点层接触；核壳量子点层包括作为电荷捕获层的核层和作为隧穿层的壳层，壳层包裹核层。本发明通过核壳量子点层的核层作为电荷捕获层，壳层作为隧穿层，提升存储器的寿命，省去阻挡层，简化结构，提高制备效率；同时通过设置核壳量子点层的配体为脂肪胺表面配体和壳层共同作为隧穿层，有效防止核层中的电荷自发损失，提高存储时间和存储窗口；另外，设置核壳量子点层和传输沟道层的材料能级适配，保证电荷传输和捕获效果；最后，设置核层的厚度和壳层的层数，防止电荷离域。[详情]
  • 半导体材料一种准一维半导体材料的制备方法2024-07-25CN202411006476.6本发明涉及新材料制备技术领域，特别是涉及一种单斜晶系晶型物及其制备方法和用途。本发明提供单斜晶系晶型物的分子式为TiS2Se；所述单斜晶系晶型物包括如下晶胞参数β＝97.61(8)°；所述单斜晶系晶型物的晶格参数：空间群：P21//m。本发明所提供单斜晶系晶型物的制备方法中高温高压条件，可以克服单质硒蒸气压高、容易挥发、容易引起石英管爆管的限制，从而制备出简单单斜结构的TiS2Se单晶，上述晶体结晶质量好，经单晶X射线衍射证实为单相，单晶X射线衍射的结果表明单晶内无杂质及栾晶。[详情]
  • 半导体材料一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法2015-10-13CN201510670503.4本发明提供了一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法。所述的具有立方钙钛矿结构的半导体材料，其特征在于，其化学式为MA1-xEAxPbI3，其中，MA+为甲铵阳离子，EA+为乙铵阳离子，x＝0.15-0.20。所述的制备方法包括：将溶剂加入到由MAI、EAI和PbI2组成的混合物中，搅拌振荡使固体溶解，得到澄清溶液；除去溶剂，得到具有立方钙钛矿结构的半导体材料。本发明的具有立方钙钛矿结构的半导体材料在室温下以完美立方结构稳定存在，这对于三碘合铅酸类钙钛矿材料是首次报道。[详情]
  • 半导体材料一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法2016-06-12CN201610407141.4本发明提供了一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法。所述的含有铋和卤素的半导体材料，其特征在于，其化学式为Cs3Bi2BrxI9‑x，其中，x＝1‑6.85。本发明的通式为Cs3Bi2BrxI9‑x的半导体材料，具有可调节的直接带隙能，在本发明的实施例中最小可调节至1.99eV，低于现有材料Cs3Bi2Br9或Cs3Bi2I9的带隙能，能够吸收可见光谱中更宽的波长范围。[详情]
  • 半导体材料一种多孔还原态二氧化钛晶体材料及其制备方法2016-09-23CN201610846603.2本发明提供了一种多孔还原态二氧化钛晶体材料及其制备方法。所述的多孔还原态二氧化钛晶体材料，具有锐钛矿晶相，比表面积为463～736m2//g，孔径为1～4nm，表面Ti3+离子的掺杂量为5.1％～9.4％，光吸收区间覆盖紫外光和可见光区间。本发明通过室温条件下的光电子存储技术，首次合成出了具有大比表面积的多孔还原态二氧化钛晶体材料。本发明不同于传统的合成方法，利用温和的室温处理过程替代传统的高能量处理过程来实现材料的晶化以及构筑缺陷。本发明中的合成技术简单、绿色，适合大规模生产。[详情]