专利推介

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  • 分析方法一种利用RHEED原位实时定量探测薄膜粗糙度的方法2021-01-08CN202110022387.0本发明公开了一种通过反射式高能电子衍射仪(以下简称RHEED)原位实时探测薄膜粗糙度的方法。RHEED是在外延生长薄膜时广泛采用的仪器，通过与荧光屏和电荷耦合器件(以下简称CCD)的结合，可以原位实时观测到外延薄膜的衍射图案。本发明通过采集外延薄膜衍射图案的特征参数，将衍射图案特征参数和薄膜表面平整度建立起明确的函数关系，从而使得在生长过程中便能依据外延薄膜的衍射图案得到其精确的表面粗糙度，这大大拓展了RHEED在薄膜生长中的应用。[详情]
  • 半导体材料一维MoS2纳米卷存储器2023-06-06CN202310662087.8本申请涉及材料领域，特别涉及一种二硫化钼纳米卷及其制备方法和应用。本申请提供一种二硫化钼纳米卷的制备方法，包括以下步骤：1)提供硅片衬底，于硅片衬底表面形成MoS2层；2)使MoS2层浸泡在第一溶液中，后吹干，得到中间产物；3)在中间产物上滴加第二溶液，使中间产物发生卷曲，并迅速吹干终止卷曲，得到二硫化钼纳米卷。本申请提供的方法为自上而下的诱导卷曲法，所需的单层MoS2通过CVD法生长，工艺较为成熟，可以进行大量制备。本发明提供的方法可以通过控制将第二溶液吹干的时机来调节MoS2纳米卷卷曲的程度，相较于现有技术，本申请的可控性更高。[详情]
  • 半导体材料一种在蓝宝石衬底上选区定点生长大畤区单层二硫化钼的金属有机化...2023-06-28CN202310776421.2本发明涉及层状二维材料制备技术领域，主要是一种硫化钼二维材料的制备方法。本发明通过石英管喷嘴精确引导金属有机物蒸气到蓝宝石衬底指定区域生长大尺寸单层硫化钼，提供了一种稳定高效的单层硫化钼二维材料生长方法，采用金属有机化学气相沉积技术、反应条件可控且能一步实现单层硫化钼的大尺寸单晶，相比于已有的金属有机化学气相沉积制备技术，畴区尺寸提升约2个数量级，更加有利于器件的加工，在芯片集成、光学领域具有良好的应用前景。[详情]
  • 半导体材料利用氦离子退火植入法加工制造高深宽比硅纳米沟道2023-04-21CN202310435228.2本发明提供一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法。植入氧原子的方法包括：将表面镀有氧化物层的单晶硅进行氦离子辐照并直写图形，氧化物层中的氧原子受氦离子动能转移被牵引植入单晶硅表层形成氧化硅。硅纳米沟道的制备方法步骤包括：1)采用在单晶硅表层植入氧原子的方法获得氦离子束直写图形后的氧化硅图形；2)对氧化硅图形进行化学湿法刻蚀。本发明英文名称为siliconhighaspectnano‑groovesviaHe+annealingimplantation，简称SHANG‑HAI工艺。检测方法：在化学湿法刻蚀之前，采用镓离子束刻蚀出氧化硅图形的垂直截面。本发明能够在单晶硅表面加工制备出线宽只有10nm或更小，深宽比达10或以上的硅纳米沟道。[详情]
  • 半导体材料一种铑掺杂钛酸钡半导体材料的制备方法及其在光电化学中的应用2023-09-18CN202311204934.2本发明公开了一种铑掺杂钛酸钡半导体材料的制备方法及其在光电化学中的应用。本发明的铑掺杂钛酸钡为掺杂型催化剂，其化学式为BaTi1‑xRhxO3，其中，0.001≤x≤0.1。本发明的制备方法为：将含钡化合物，二氧化钛粉末与含铑化合物混合均匀，然后在高温下煅烧，待冷却到室温后，将得到的催化剂粉末负载于导电基底上构成薄膜光电极，即可作为半导体电极用于光电化学反应。本发明的制备方法具有工艺简单、生产设备要求低、成本低廉、可拓展性强的特点，并且得到的产物具有物理及化学性质稳定以及催化性能优异等优点，具有良好的实际应用前景；本发明的铑掺杂钛酸钡可应用于光(电)催化分解水制氢和污染物降解等催化领域。[详情]
  • 半导体材料二维半导体-核壳量子点电荷存储器2024-04-10CN202410428551.1本发明提供一种电荷存储器件及其制备方法，电荷存储器件从下到上依次包括衬底层、核壳量子点层、传输沟道层和电极层；衬底层包括衬底和介电层，介电层与核壳量子点层接触；核壳量子点层包括作为电荷捕获层的核层和作为隧穿层的壳层，壳层包裹核层。本发明通过核壳量子点层的核层作为电荷捕获层，壳层作为隧穿层，提升存储器的寿命，省去阻挡层，简化结构，提高制备效率；同时通过设置核壳量子点层的配体为脂肪胺表面配体和壳层共同作为隧穿层，有效防止核层中的电荷自发损失，提高存储时间和存储窗口；另外，设置核壳量子点层和传输沟道层的材料能级适配，保证电荷传输和捕获效果；最后，设置核层的厚度和壳层的层数，防止电荷离域。[详情]
  • 半导体材料一种准一维半导体材料的制备方法2024-07-25CN202411006476.6本发明涉及新材料制备技术领域，特别是涉及一种单斜晶系晶型物及其制备方法和用途。本发明提供单斜晶系晶型物的分子式为TiS2Se；所述单斜晶系晶型物包括如下晶胞参数β＝97.61(8)°；所述单斜晶系晶型物的晶格参数：空间群：P21//m。本发明所提供单斜晶系晶型物的制备方法中高温高压条件，可以克服单质硒蒸气压高、容易挥发、容易引起石英管爆管的限制，从而制备出简单单斜结构的TiS2Se单晶，上述晶体结晶质量好，经单晶X射线衍射证实为单相，单晶X射线衍射的结果表明单晶内无杂质及栾晶。[详情]
  • 半导体探测器一种用于大面阵芯片对芯片倒装焊焊点导通性测试电路2022-12-30CN202211722464.4本发明涉及一种用于大面阵芯片对芯片倒装焊焊点导通性测试电路，包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片的电路层设计均为像素结构，所述第一芯片上的每个像素对应一个焊点，每相邻两个像素对应的焊点相互导通；所述第二芯片上的每个像素对应一个焊点，每相邻两个像素对应的焊点相互导通；所述第一芯片上的每个像素对应的焊点与所述第二芯片上每个像素对应的焊点导通，形成完整电路。本发明能够进行链路级电导通性测试。[详情]
  • 半导体探测器一种用于半导体像素阵列探测器制备的精密定位装置2024-06-03CN202410706453.X本发明涉及PCB定位领域，特别是一种PCB精准定位和加压装置及其使用方法。本发明的PCB精准定位装置，用于在点胶机工作平台上固定并定位PCB，包括底板、支撑件、长边固定件、短边固定件和加压件。底板和点胶机工作平台可拆卸连接，支撑件、长边固定件和短边固定件均设于底板上，PCB设于支撑件上，加压件设于PCB上。最终，本申请能够使PCB精准地被放置于点胶后的支撑件上，并且本申请能够在实现对PCB施以均匀压力以确保自然状态下弯曲的PCB能够平整的粘贴于支撑件上的同时，也强化了PCB与支撑件之间胶水的均匀性和覆盖率以确保PCB散热的均匀性。[详情]
  • 半导体探测器一种晶圆级半导体器件贴片设备2024-07-29CN202411024640.6本发明属于电子贴装技术领域，提供的一种晶圆级半导体器件贴片装置，适用于晶圆级规模、大尺寸芯片的高精度贴片，其操作流程包括开机、上料、吸料、取料、移入PCB板、粗对准、细对准、贴片和释放等步骤。通过分光棱镜和梯度显微镜联合使用，实现了大尺寸芯片模组与印刷线路板的高精度对准和贴装，确保芯片焊盘与印刷线路板焊盘之间的长程(≥10cm)、多焊盘(≥1500个)高精度对准，整体贴装精度≤10μm。同时，可根据器件贴片需要，施加一定的压力值。该设备不仅提高了操作的可重复性和可靠性，还解决了现有自动化贴片设备无法满足大尺寸芯片模组贴片需求、贴片精度低等问题。[详情]