专利推介

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  • 分析方法一种利用RHEED原位实时定量探测薄膜粗糙度的方法2021-01-08CN202110022387.0本发明公开了一种通过反射式高能电子衍射仪(以下简称RHEED)原位实时探测薄膜粗糙度的方法。RHEED是在外延生长薄膜时广泛采用的仪器，通过与荧光屏和电荷耦合器件(以下简称CCD)的结合，可以原位实时观测到外延薄膜的衍射图案。本发明通过采集外延薄膜衍射图案的特征参数，将衍射图案特征参数和薄膜表面平整度建立起明确的函数关系，从而使得在生长过程中便能依据外延薄膜的衍射图案得到其精确的表面粗糙度，这大大拓展了RHEED在薄膜生长中的应用。[详情]
  • 半导体材料一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法2015-10-13CN201510670503.4本发明提供了一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法。所述的具有立方钙钛矿结构的半导体材料，其特征在于，其化学式为MA1-xEAxPbI3，其中，MA+为甲铵阳离子，EA+为乙铵阳离子，x＝0.15-0.20。所述的制备方法包括：将溶剂加入到由MAI、EAI和PbI2组成的混合物中，搅拌振荡使固体溶解，得到澄清溶液；除去溶剂，得到具有立方钙钛矿结构的半导体材料。本发明的具有立方钙钛矿结构的半导体材料在室温下以完美立方结构稳定存在，这对于三碘合铅酸类钙钛矿材料是首次报道。[详情]
  • 半导体材料一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法2016-06-12CN201610407141.4本发明提供了一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法。所述的含有铋和卤素的半导体材料，其特征在于，其化学式为Cs3Bi2BrxI9‑x，其中，x＝1‑6.85。本发明的通式为Cs3Bi2BrxI9‑x的半导体材料，具有可调节的直接带隙能，在本发明的实施例中最小可调节至1.99eV，低于现有材料Cs3Bi2Br9或Cs3Bi2I9的带隙能，能够吸收可见光谱中更宽的波长范围。[详情]
  • 半导体材料一种多孔还原态二氧化钛晶体材料及其制备方法2016-09-23CN201610846603.2本发明提供了一种多孔还原态二氧化钛晶体材料及其制备方法。所述的多孔还原态二氧化钛晶体材料，具有锐钛矿晶相，比表面积为463～736m2//g，孔径为1～4nm，表面Ti3+离子的掺杂量为5.1％～9.4％，光吸收区间覆盖紫外光和可见光区间。本发明通过室温条件下的光电子存储技术，首次合成出了具有大比表面积的多孔还原态二氧化钛晶体材料。本发明不同于传统的合成方法，利用温和的室温处理过程替代传统的高能量处理过程来实现材料的晶化以及构筑缺陷。本发明中的合成技术简单、绿色，适合大规模生产。[详情]
  • 半导体材料具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法2016-02-29CN201610121585.1本发明提供了一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料，其特征在于，其化学式为MA1‑xEAxPbI3，其中，MA+为甲铵阳离子，EA+为乙铵阳离子，所述的x的取值范围为0.09‑0.15和0.20‑0.24，不包含0.15和0.20；或者，其化学式为MA1‑yDMAyPbI3，其中，MA+为甲铵阳离子，DMA+为二甲铵阳离子，y的取值范围为0.10‑0.15。本发明的具有立方钙钛矿结构的半导体材料在室温下以完美立方结构稳定存在，这对于三碘合铅酸类钙钛矿材料是首次报道。[详情]
  • 半导体材料含锡半导体发光材料及其制备方法2019-06-05CN201910484099.X本发明公开了一种含锡半导体发光材料及其制备方法。所述含锡半导体发光材料的化学式为CsSn1‑xMnxCl3或CsSn1‑yIn2y//3Cl3。制备方法为：将含有Cs、Sn、Mn和Cl元素的反应物按比例混合，在氮气保护下加热反应得到CsSn1‑xMnxCl3；或将含有Cs、Sn、In和Cl元素的反应物按比例混合，在氮气保护下加热反应得到CsSn1‑yIn2y//3Cl3。CsSn1‑xMnxCl3发光位于红光波长范围，CsSn1‑yIn2y//3Cl3发光位于蓝绿光波长范围，两种材料在室温下均以立方钙钛矿结构稳定存在，具有低毒、易制备等优点。[详情]
  • 半导体材料含锡半导体材料及其制备方法2020-04-11CN202010281813.8本发明公开了一种含锡半导体材料及其制备方法。所述的半导体材料为一种在CsSnBr3的制备过程中通过添加金属单质或金属化合物进行掺杂生长出的不同载流子浓度的晶体。制备方法为：将CsBr、SnBr2与金属单质或金属化合物混合，在惰性气体保护下加热反应，缓慢冷却后得到具有不同载流子浓度的CsSnBr3半导体晶体材料。在制备过程添加单质锡的CsSnBr3半导体与未添加时相比，其载流子浓度下降1个数量级，缺陷态密度显著减少。掺杂铟的CsSnBr3半导体具有1010cm‑3浓度的载流子，接近本征半导体；掺杂银的CsSnBr3半导体具有1019cm‑3浓度的p型载流子，成为简并半导体。[详情]
  • 半导体材料CsSnBr3半导体的晶体生长与表面保护方法2017-03-09CN201710137123.3本发明提供了新型半导体材料CsSnBr3的晶体生长和表面保护方法：在氮气环境下，将CsBr和纯化SnBr2反应得到CsSnBr3固体原料，然后溶解于无水乙二醇中，经缓慢程序降温得到CsSnBr3晶体，吸收光谱表明其体相中的缺陷能级已被显著消除。将CsSnBr3的晶体表面与含氟离子的溶液接触，或在CsSnBr3的晶体生长母液中加入溴化烃基铵，可以使CsSnBr3的晶体表面在大气中稳定。将使用此方法保护表面的CsSnBr3单晶制成光电二极管器件，在700‑760nm波长范围具有窄而对称的响应峰。具有此种响应特性且符合RoHS标准要求的光电二极管器件为首次报道。[详情]
  • 碳捕集一种从工业废气或空气中捕集二氧化碳的电解装置及方法2021-04-14CN202110410794.9本发明提供一种从工业废气或空气中捕集二氧化碳的电解装置及方法。该电解装置包括：电源、阳极腔室、阴极腔室和气体吸收腔室。该方法包括如下步骤：1)阳极电解液被电解以提供O2和H+；2)阴极电解液被电解以提供H2和OH‑；3)含有OH‑的阴极电解液吸收工业废气或空气中的二氧化碳以提供含有游离碳酸根离子和//或游离碳酸氢根离子的溶液；4)含有游离碳酸根离子和//或游离碳酸氢根离子的溶液通入至含有H+的阳极电解液中反应以提供二氧化碳。本发明在同一电解装置中同时实现CO2的捕集和CO2吸收剂的生成，完全避免生成或使用难溶于水的金属碳酸盐沉淀，而且在电解装置的不同腔室分别生成高纯CO2、H2和O2。[详情]
  • 催化剂一种Ni-Fe催化剂及其制备方法与应用2020-05-27CN202010459867.9本发明公开了一种Ni-Fe催化剂的制备方法，包括：步骤1：将泡沫镍基底和碳纸裁剪，依次用丙酮、乙醇、去离子水清洗、烘干备用；步骤2：分别配置的硝酸铁与硝酸镍溶液备用；步骤3：分别将步骤2中硝酸铁溶液与硝酸镍溶液加入乙二醇中，再加入去离子水与氟化铵；超声分散，形成均一的前驱体溶液；步骤4：将干净的泡沫镍作为阴极，碳纸作为阳极，放入已经预热至40℃的前驱体溶液中，静置；步骤5：保持阴极与阳极固定，两端利用稳压电源施加电压，维持5min；步骤6：将沉积上黑色催化剂的泡沫镍取下，浸泡在无水乙醇中清洗，取出，干燥，即得NiFe催化剂。本发明制备的NiFe催化剂电解水性能优良，制备方法简单，成本低廉，具有优异的产业化前景。[详情]