一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法

发布者：技术转移办公室发布时间：2025-04-14浏览次数：10

技术主题：后摩尔器件与集成系统

发明名称：一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法

申请时间：2022-03-28

申请号：CN202210309182.5

摘要：本发明提供一种InP基超宽光谱光电探测器及其制备方法。本发明采用AlAsSb和InAlAs或者InP做电子阻挡层和过渡层可以将光电探测器的测试波长延伸至可见光和紫外波段，采用InGaAs体材料和InGaAs//GaAsSb二类超晶格材料作为半导体光电探测器的吸收层，可将光电探测器的测试波长延伸至近红外和延长短波红外波段。当形成的电子基态能级与空穴基态能级之差小于延长短波红外波长的光子对应的能量时，就能吸收延长短波红外波长的光，从而实现对延长短波红外波段的覆盖。该光电探测器采用晶格匹配于InP衬底的InGaAs//GaAsSb二类超晶格作为吸收区，相对于高铟成分晶格失配InGaAs延长短波红外探测器，具有更低暗电流，单片集成的优势。