二维半导体-核壳量子点电荷存储器

发布者：技术转移办公室发布时间：2025-04-14浏览次数：10

技术主题：半导体材料

发明名称：二维半导体-核壳量子点电荷存储器

申请时间：2024-04-10

申请号：CN202410428551.1

摘要：本发明提供一种电荷存储器件及其制备方法，电荷存储器件从下到上依次包括衬底层、核壳量子点层、传输沟道层和电极层；衬底层包括衬底和介电层，介电层与核壳量子点层接触；核壳量子点层包括作为电荷捕获层的核层和作为隧穿层的壳层，壳层包裹核层。本发明通过核壳量子点层的核层作为电荷捕获层，壳层作为隧穿层，提升存储器的寿命，省去阻挡层，简化结构，提高制备效率；同时通过设置核壳量子点层的配体为脂肪胺表面配体和壳层共同作为隧穿层，有效防止核层中的电荷自发损失，提高存储时间和存储窗口；另外，设置核壳量子点层和传输沟道层的材料能级适配，保证电荷传输和捕获效果；最后，设置核层的厚度和壳层的层数，防止电荷离域。