一种半导体器件、制备方法及其应用

发布者：技术转移办公室发布时间：2025-04-14浏览次数：10

技术主题：半导体探测器

发明名称：一种半导体器件、制备方法及其应用

申请时间：2024-05-08

申请号：CN202410562689.0

摘要：本发明提供一种半导体器件、制备方法及其应用通过在X射线灵敏区外设置多层环状结构，包括P型电荷收集环、多个P型保护环及多个N型保护环，有效地屏蔽了X射线灵敏区以外漏电流及外部电场的影响，从而显著提高了信号质量和半导体器件的稳定性。此外，这种结构设计还有效抑制了等离子体效应，进一步提升了半导体器件的灵敏度和信噪比。这些性能的提升对于半导体器件在高工作电压环境下的稳定运行至关重要。本发明的半导体器件，在辐照环境下能够达到至少600V的击穿电压和至少300V的工作电压，充分满足了XFEL等特定应用的需求。