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一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法

发布者:技术转移办公室发布时间:2021-10-15浏览次数:11

技术主题:半导体材料

发明名称:一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法

申请时间:2016-06-12

申请号:CN201610407141.4

摘要:本发明提供了一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法。所述的含有铋和卤素的半导体材料,其特征在于,其化学式为Cs3Bi2BrxI9‑x,其中,x=1‑6.85。本发明的通式为Cs3Bi2BrxI9‑x的半导体材料,具有可调节的直接带隙能,在本发明的实施例中最小可调节至1.99eV,低于现有材料Cs3Bi2Br9或Cs3Bi2I9的带隙能,能够吸收可见光谱中更宽的波长范围。

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