1.55微米波段雪崩光电探测器及其制备方法

发布者：技术转移办公室发布时间：2025-04-14浏览次数：66

技术主题：后摩尔器件与集成系统

发明名称：1.55微米波段雪崩光电探测器及其制备方法

申请时间：2021-12-31

申请号：CN202111672513.3

摘要：本发明涉及一种1.55微米波段雪崩光电探测器，从下至上依次包括衬底层、阴极接触层、N型电荷层、InAs//AlAs数字合金倍增层、P型电荷层、能带过渡层、In0.53Ga0.47As吸收层、阻挡电子向阳极方向扩散的电子阻挡层及阳极接触层；采用InAs//AlAs数字合金作为雪崩光电探测器的倍增层可将过剩噪声系数相比应用较为广泛的In0.52Al0.48As有明显下降，离化系数比从0.2下降至0.15左右；In0.53Ga0.47As吸收层采用了部分带有P型掺杂的部分耗尽结构，可以通过减少光生空穴的漂移距离而减少空穴的渡越时间，同时通过控制P型掺杂区域的厚度可避免电子在P型掺杂区域的扩散时间过长，从而实现器件响应速度的提升，同时相比于直接减少吸收区厚度的方法，可较好地避免响应度的下降。