• EN
  • 登录Egate

导航

  • 最新动态
  • 技术推荐
  • 创业教育
  • 创业生态
    • 双创平台
    • 早期融资
    • 孵化公司
    • 孵化空间
    • 合作伙伴
  • 制度政策
    • 国内制度
    • 校内制度

一种基于半导体激光器的深度储备池光计算方法和系统

发布者:技术转移办公室发布时间:2025-04-14浏览次数:85

技术主题:后摩尔器件与集成系统

发明名称:一种基于半导体激光器的深度储备池光计算方法和系统

申请时间:2022-03-22

申请号:CN202210280738.2

摘要:本发明的一个技术方案是提供一种基于半导体激光器的深度储备池光计算方法,本发明的另一个技术方案是提供了一种深度储备池光计算系统。本发明中每一层储备池主要由半导体激光器和光学延迟线构成,并由此产生大量的虚拟神经元。上一层储备池中激光器的输出通过光注入锁定技术单向的注入到下一层储备池的激光器中,从而实现储备池计算的深度架构。本发明提出的储备池光计算系统深度不受限制,因此具有良好的可拓展性。储备池层与层之间的连接为全光方式连接,因此具有装置简单、成本低、能耗小的优势。

技术转移办公室简介

跨界引领创新创业生态,营造创新创业氛围,运营自主知识产权,孵

化早期技术和初创企业,促进创新创业的实践教育,扩大创新创业对

产业和经济的影响力,践行学校使命,做出时代贡献。


ABOUT US:

The office aims to lead cross-border innovation and entrepreneurship practice and build a creative atmosphere on campus. By operating independent IPRs, incubating early-stage technologies and startups, and promoting innovation and entrepreneurship education, we hope to expand the impact of innovation and entrepreneurship on enterprises, fulfill the mission of ShanghaiTech and contribute to society.

联系方式:                         

地址:上海市浦东新区华夏中路393号

邮箱:ott@shanghaitech.edu.cn 



  • 关注我们

    扫一扫

Copyright © 上海科技大学 版权所有沪ICP备13001436号-1沪公网安备 31011502006855号