一维MoS2纳米卷存储器

发布者：技术转移办公室发布时间：2025-04-14浏览次数：10

技术主题：半导体材料

发明名称：一维MoS2纳米卷存储器

申请时间：2023-06-06

申请号：CN202310662087.8

摘要：本申请涉及材料领域，特别涉及一种二硫化钼纳米卷及其制备方法和应用。本申请提供一种二硫化钼纳米卷的制备方法，包括以下步骤：1)提供硅片衬底，于硅片衬底表面形成MoS2层；2)使MoS2层浸泡在第一溶液中，后吹干，得到中间产物；3)在中间产物上滴加第二溶液，使中间产物发生卷曲，并迅速吹干终止卷曲，得到二硫化钼纳米卷。本申请提供的方法为自上而下的诱导卷曲法，所需的单层MoS2通过CVD法生长，工艺较为成熟，可以进行大量制备。本发明提供的方法可以通过控制将第二溶液吹干的时机来调节MoS2纳米卷卷曲的程度，相较于现有技术，本申请的可控性更高。