一种在蓝宝石衬底上选区定点生长大畤区单层二硫化钼的金属有机化学气相沉积方法

发布者：技术转移办公室发布时间：2025-04-14浏览次数：10

技术主题：半导体材料

发明名称：一种在蓝宝石衬底上选区定点生长大畤区单层二硫化钼的金属有机化学气相沉积方法

申请时间：2023-06-28

申请号：CN202310776421.2

摘要：本发明涉及层状二维材料制备技术领域，主要是一种硫化钼二维材料的制备方法。本发明通过石英管喷嘴精确引导金属有机物蒸气到蓝宝石衬底指定区域生长大尺寸单层硫化钼，提供了一种稳定高效的单层硫化钼二维材料生长方法，采用金属有机化学气相沉积技术、反应条件可控且能一步实现单层硫化钼的大尺寸单晶，相比于已有的金属有机化学气相沉积制备技术，畴区尺寸提升约2个数量级，更加有利于器件的加工，在芯片集成、光学领域具有良好的应用前景。