一种超薄、超高Tc、超低应力的氮化铌薄膜制备方法

发布者：技术转移办公室发布时间：2025-04-14浏览次数：10

技术主题：超导

发明名称：一种超薄、超高Tc、超低应力的氮化铌薄膜制备方法

申请时间：2024-06-13

申请号：CN202410761985.3

摘要：本发明涉及微纳加工技术领域，特别是一种超薄、超高Tc、应力可控的氮化铌薄膜的制备方法。所述制备方法至少包括：在衬底上采用直流磁控溅射的方式外延生长氮化铌薄膜，其中，所述氮化铌薄膜的制备条件如下：氮气和氩气质量流量比为0％～60％、生长温度为室温～800℃、生长气压为1～10mTorr、生长功率为50～500W、生长时间为10～4300s。本发明提供的制备方法可同时获得超薄、超导转变温度Tc超高、超低应力、性能稳定的NbN薄膜，解决以往技术仅有单个指标满足条件的难题，以适用于高难度器件研制。