一种850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构

发布者：技术转移办公室发布时间：2021-10-15浏览次数：10

技术主题：后摩尔器件与集成系统

发明名称：一种850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构

申请时间：2021-04-02

申请号：CN202110361770.9

摘要：本发明公开了一种850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构。所述光电探测器的外延结构从下到上依次包括半绝缘GaAs衬底、缓冲层、阴极接触层、集电层、过渡层、耗尽GaAs吸收层、非耗尽GaAs吸收层、覆盖层和阳极接触层。本发明的外延结构用于光电探测器中，具有低暗电流、高响应度、高响应带宽和在零偏压下工作的特点，能够满足850nm波段短距离光互联系统的需求。