发布者:技术转移办公室发布时间:2021-10-15浏览次数:12
技术主题:半导体材料
发明名称:一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法
申请时间:2015-10-13
申请号:CN201510670503.4
摘要:本发明提供了一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法。所述的具有立方钙钛矿结构的半导体材料,其特征在于,其化学式为MA1-xEAxPbI3,其中,MA+为甲铵阳离子,EA+为乙铵阳离子,x=0.15-0.20。所述的制备方法包括:将溶剂加入到由MAI、EAI和PbI2组成的混合物中,搅拌振荡使固体溶解,得到澄清溶液;除去溶剂,得到具有立方钙钛矿结构的半导体材料。本发明的具有立方钙钛矿结构的半导体材料在室温下以完美立方结构稳定存在,这对于三碘合铅酸类钙钛矿材料是首次报道。