一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法

发布者：技术转移办公室发布时间：2021-10-15浏览次数：11

技术主题：半导体材料

发明名称：一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法

申请时间：2016-06-12

申请号：CN201610407141.4

摘要：本发明提供了一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法。所述的含有铋和卤素的半导体材料，其特征在于，其化学式为Cs3Bi2BrxI9‑x，其中，x＝1‑6.85。本发明的通式为Cs3Bi2BrxI9‑x的半导体材料，具有可调节的直接带隙能，在本发明的实施例中最小可调节至1.99eV，低于现有材料Cs3Bi2Br9或Cs3Bi2I9的带隙能，能够吸收可见光谱中更宽的波长范围。