一种多孔还原态二氧化钛晶体材料及其制备方法

发布者：技术转移办公室发布时间：2021-10-15浏览次数：11

技术主题：半导体材料

发明名称：一种多孔还原态二氧化钛晶体材料及其制备方法

申请时间：2016-09-23

申请号：CN201610846603.2

摘要：本发明提供了一种多孔还原态二氧化钛晶体材料及其制备方法。所述的多孔还原态二氧化钛晶体材料，具有锐钛矿晶相，比表面积为463～736m2//g，孔径为1～4nm，表面Ti3+离子的掺杂量为5.1％～9.4％，光吸收区间覆盖紫外光和可见光区间。本发明通过室温条件下的光电子存储技术，首次合成出了具有大比表面积的多孔还原态二氧化钛晶体材料。本发明不同于传统的合成方法，利用温和的室温处理过程替代传统的高能量处理过程来实现材料的晶化以及构筑缺陷。本发明中的合成技术简单、绿色，适合大规模生产。