具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法

发布者：技术转移办公室发布时间：2021-10-15浏览次数：10

技术主题：半导体材料

发明名称：具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法

申请时间：2016-02-29

申请号：CN201610121585.1

摘要：本发明提供了一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料，其特征在于，其化学式为MA1‑xEAxPbI3，其中，MA+为甲铵阳离子，EA+为乙铵阳离子，所述的x的取值范围为0.09‑0.15和0.20‑0.24，不包含0.15和0.20；或者，其化学式为MA1‑yDMAyPbI3，其中，MA+为甲铵阳离子，DMA+为二甲铵阳离子，y的取值范围为0.10‑0.15。本发明的具有立方钙钛矿结构的半导体材料在室温下以完美立方结构稳定存在，这对于三碘合铅酸类钙钛矿材料是首次报道。