含锡半导体发光材料及其制备方法

发布者：技术转移办公室发布时间：2021-10-15浏览次数：11

技术主题：半导体材料

发明名称：含锡半导体发光材料及其制备方法

申请时间：2019-06-05

申请号：CN201910484099.X

摘要：本发明公开了一种含锡半导体发光材料及其制备方法。所述含锡半导体发光材料的化学式为CsSn1‑xMnxCl3或CsSn1‑yIn2y//3Cl3。制备方法为：将含有Cs、Sn、Mn和Cl元素的反应物按比例混合，在氮气保护下加热反应得到CsSn1‑xMnxCl3；或将含有Cs、Sn、In和Cl元素的反应物按比例混合，在氮气保护下加热反应得到CsSn1‑yIn2y//3Cl3。CsSn1‑xMnxCl3发光位于红光波长范围，CsSn1‑yIn2y//3Cl3发光位于蓝绿光波长范围，两种材料在室温下均以立方钙钛矿结构稳定存在，具有低毒、易制备等优点。