含锡半导体材料及其制备方法

发布者：技术转移办公室发布时间：2021-10-15浏览次数：10

技术主题：半导体材料

发明名称：含锡半导体材料及其制备方法

申请时间：2020-04-11

申请号：CN202010281813.8

摘要：本发明公开了一种含锡半导体材料及其制备方法。所述的半导体材料为一种在CsSnBr3的制备过程中通过添加金属单质或金属化合物进行掺杂生长出的不同载流子浓度的晶体。制备方法为：将CsBr、SnBr2与金属单质或金属化合物混合，在惰性气体保护下加热反应，缓慢冷却后得到具有不同载流子浓度的CsSnBr3半导体晶体材料。在制备过程添加单质锡的CsSnBr3半导体与未添加时相比，其载流子浓度下降1个数量级，缺陷态密度显著减少。掺杂铟的CsSnBr3半导体具有1010cm‑3浓度的载流子，接近本征半导体；掺杂银的CsSnBr3半导体具有1019cm‑3浓度的p型载流子，成为简并半导体。