CsSnBr3半导体的晶体生长与表面保护方法

发布者：技术转移办公室发布时间：2021-10-15浏览次数：11

技术主题：半导体材料

发明名称：CsSnBr3半导体的晶体生长与表面保护方法

申请时间：2017-03-09

申请号：CN201710137123.3

摘要：本发明提供了新型半导体材料CsSnBr3的晶体生长和表面保护方法：在氮气环境下，将CsBr和纯化SnBr2反应得到CsSnBr3固体原料，然后溶解于无水乙二醇中，经缓慢程序降温得到CsSnBr3晶体，吸收光谱表明其体相中的缺陷能级已被显著消除。将CsSnBr3的晶体表面与含氟离子的溶液接触，或在CsSnBr3的晶体生长母液中加入溴化烃基铵，可以使CsSnBr3的晶体表面在大气中稳定。将使用此方法保护表面的CsSnBr3单晶制成光电二极管器件，在700‑760nm波长范围具有窄而对称的响应峰。具有此种响应特性且符合RoHS标准要求的光电二极管器件为首次报道。